RAM의 전체 형태는 랜덤 액세스 메모리입니다. 이 유형의 메모리에 저장된 정보는 PC 또는 랩톱의 전원 공급 장치가 꺼지면 유실됩니다. RAM에 저장된 정보는 BIOS의 도움으로 확인할 수 있습니다. 일반적으로 컴퓨터 시스템의 주 메모리 또는 임시 메모리 또는 캐시 메모리 또는 휘발성 메모리라고합니다.
이 운영 체제 학습서에서는 다음을 학습합니다.
RAM의 역사
다음은 RAM의 역사에서 중요한 랜드 마크입니다.
| RAM의 종류 | 발명 년도 |
| FPM- (빠른 페이지 모드 RAM)- | 1990 년 |
| EDO RAM (확장 데이터 작업 읽기 전용 메모리) | 1994 |
| SDRAM (단일 동적 RAM) | 1996 |
| RDRAM (Rambus RAM) | 1998 |
| DDR (더블 데이터 레이트) | 2000 년 |
| DDR2 | 2003 년 |
| DDR3 | 2007 년 |
| DDR4 | 2012 년 |
RAM의 종류
RAM의 종류
RAM의 두 가지 주요 유형은 다음과 같습니다.
- 정적 RAM
- 동적 RAM
정적 RAM
정적 RAM은 SRAM의 전체 형태입니다. 이러한 유형의 RAM에서, 데이터는 6 개의 트랜지스터 메모리 셀의 상태를 이용하여 저장된다. 정적 RAM은 주로 프로세서 (CPU)의 캐시 메모리로 사용됩니다.
동적 RAM
DRAM은 Dynamic Random Access Memory의 약어입니다. 특정 집적 회로 내에서 별도의 커패시터에 각 데이터 비트를 저장할 수있는 RAM 유형입니다. 동적 RAM은 많은 최신 데스크탑 컴퓨터의 표준 컴퓨터 메모리입니다.
이 유형의 RAM은 휘발성 메모리로 정기적으로 전압을 갱신해야합니다. 그렇지 않으면 저장된 정보가 손실됩니다.
SRAM VS DRAM
| 스램 | 음주 |
| SRAM은 액세스 시간이 짧으므로 DRAM에 비해 빠릅니다. | DRAM은 액세스 시간이 높기 때문에 SRAM보다 느립니다. |
| SRAM은 DRAM보다 비쌉니다. | DRAM은 SRAM에 비해 비용이 적게 듭니다. |
| SRAM에는 일정한 전원 공급 장치가 필요하므로이 유형의 메모리는 더 많은 전력을 소비합니다. | DRAM은 정보가 커패시터에 저장되므로 전력 소비가 줄어 듭니다. |
| 내부 회로가 복잡하고 동일한 물리적 크기의 DRAM 메모리 칩에 비해 사용 가능한 스토리지 용량이 적습니다. | DRAM의 1 비트 메모리 셀에있는 작은 내부 회로입니다. 큰 저장 용량을 사용할 수 있습니다. |
| SRAM은 패키징 밀도가 낮습니다. | DRAM은 패키징 밀도가 높습니다. |
다른 중요한 RAM 유형
FPM DRAM
FPM DRAM
고속 페이지 모드 동적 랜덤 액세스 메모리는 열 및 행별로 비트 데이터를 찾아서 다음 비트에서 시작하기 전에 비트를 읽는 전체 프로세스를 대기하는 RAM 유형입니다. 최대 전송 속도는 약 176Mbps입니다.
SDR RAM
SDR RAM
SDR RAM은 완전한 형태의 동기식 동적 액세스 메모리입니다. 액세스 시간은 25 ~ 10 ns (nanosecond)이며 168 개 접점의 DIMM (이중 인라인 메모리 모듈) 모듈에 있습니다.
IC (Integrated Circuits)를 사용하여 커패시터를 사용하여 데이터를 저장합니다. 한쪽 측면에는 종단이 있으며 마더 보드 메모리의 개별 슬롯 안에 삽입 할 수 있습니다.
RD RAM
RD RAM
Rambus Dynamic Random Access Memory는 완전한 형태의 RDRAM입니다. 이 유형의 RAM 칩은 병렬로 작동하므로 800MHz 또는 1,600Mbps의 데이터 속도를 달성 할 수 있습니다. 고속으로 작동 할 때 훨씬 더 많은 열을 발생시킵니다.
VRAM (비디오) :
VRAM
비디오 어댑터에 최적화 된 RAM을 VRAM이라고합니다. 이 칩에는 비디오 어댑터가 메모리를 정기적으로 읽어 모니터의 현재 디스플레이를 새로 고치는 동시에 비디오 데이터를 칩에 쓸 수 있도록 두 개의 포트가 있습니다.
EDO RAM
Edo RAM
EDO DRAM은 Extended Data Output Random Access Memory의 약어입니다. 다음 비트를 계속하기 전에 첫 번째 비트의 처리가 완료되기를 기다리지 않습니다. 첫 번째 비트의 주소를 찾으면 EDO DRAM이 다음 비트를 찾기 시작합니다.
플래시 메모리 :
플래시 메모리
플래시 메모리는 전기적으로 지울 수 있고 프로그래밍 가능한 영구적 인 유형의 메모리입니다. 1 트랜지스터 메모리를 사용하여 비트를 저장합니다. 전력 소비가 적고 비용을 절감하는 데 도움이됩니다. 주로 디지털 카메라, MP3 플레이어 등에 사용됩니다.
DDR SDRAM
DDR RAM
DDR SDRAM의 전체 형태는 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory입니다. SDRAM과 같습니다. 이 둘의 유일한 차이점은 대역폭이 높기 때문에 속도가 더 빠릅니다. 약 1,064Mbps 인 L2 캐시로의 최대 전송 속도입니다.
RAM 사용
다음은 RAM의 중요한 사용법입니다.
- RAM은 컴퓨터에서 스크래치 패드, 버퍼 및 주 메모리로 사용됩니다.
- 빠른 작동 속도를 제공합니다.
- 또한 호환성으로 유명합니다
- 저전력 소모 제공
RAM 유형의 성능 비교
| 표준 | 시장에서 시간 | 내부 요율 | 버스 시계 (MHZ) | 퍼펙 치 | 데이터 속도 (MT / s) | 전송 속도 (GB / s) | 전압 |
| SDRAM | 1993 | 100-166 | 100-166 | 1n | 100-166 | 0.8-1.3 | 3.3 |
| DDR | 2000 년 | 133-200 | 133-200 | 2n | 266-400 | 2.1-3.2 | 2.5 / 2.6 |
| DDR2 SDRAM | 2003 년 | 133-200 | 266-400 | 4n | 533-800 | 4.2-6.4 | 1.8 |
| DDR3 | 2007 년 | 133-200 | 533-800 | 8n | 1066-1600 | 8.5-14.9 | 1.35 / 1.5 |
| DDR 4 | 2014 년 | 133-200 | 1066-1600 | 8n | 2133-3200 | 17-21.3 | 1.2 |
요약:
- RAM의 전체 형태는 랜덤 액세스 메모리입니다.
- RAM의 두 가지 주요 유형은 1) 정적 RAM 및 2) 동적 RAM
- 정적 RAM은 SRAM의 전체 형태입니다. 이러한 유형의 RAM에서, 데이터는 6 개의 트랜지스터 메모리 셀의 상태를 이용하여 저장된다.
- DRAM은 Dynamic Random Access Memory의 약어입니다. 각 비트의 데이터를 별도의 커패시터에 저장할 수있는 RAM 유형입니다
- FPM DRAM은 전체 형태의 고속 페이지 모드 동적 랜덤 액세스 메모리입니다
- Rambus 동적 랜덤 액세스 메모리는 확장 된 형태의 RDRAM입니다
- 비디오 어댑터에 최적화 된 RAM을 VRAM이라고합니다.
- EDO DRAM은 Extended Data Output Random Access Memory의 약어입니다.
- 플래시 메모리는 전기적으로 소거 및 프로그래밍 가능한 영구적 인 유형의 메모리입니다.
- DDR RAM의 전체 형태는 Double Data Rate입니다.
- SRAM은 액세스 시간이 짧으므로 DRAM에 비해 빠릅니다.
- RAM은 컴퓨터에서 스크래치 패드, 버퍼 및 주 메모리로 사용됩니다.
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